日耀電子有限公司
RI-YAO ELECTRONICS LTD.
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矽成
靜態隨機存取存儲器
同步 SRAM
No-Wait(ZBT)
3.3V
BGA(119), QFP(100), BGA(165)
IS61NLF25618A-7-TR
IS61NLF25618A-7-TR
數據表
索取報價
規格
256Kx18
腳位/封裝
BGA(119), QFP(100), BGA(165)
tKQ
6.5, 7.5
電壓
3.3V
VccQ
2.5/3.3V
型號別
IBIS
狀態
Prod
評注
F
外包裝
Tape on reel
速度(MHz)
177, 133
數據表
索取報價
IS61NLF25618A-7-TR 特徵
100 percent bus utilization
No wait cycles between Read and Write
Internal self-timed write cycle
Individual Byte Write Control
Single Read/Write control pin
Clock controlled, registered address, data and control
Interleaved or linear burst sequence control us- ing MODE input
Three chip enables for simple depth expansion and address pipelining
Power Down mode
Common data inputs and data outputs
CKE pin to enable clock and suspend operation
JEDEC 100-pin TQFP, 119-ball PBGA, and 165- ball PBGA packages
Power supply: NVF: Vdd 2.5V (± 5%), Vddq 2.5V (± 5%) NLF: Vdd 3.3V (± 5%), Vddq 3.3V/2.5V (± 5%)
Industrial temperature available