1. 矽成
  2. 動態記憶體
  3. 第二代双倍数据率同步動態隨機存取記憶體
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  5. 1.8V
  6. 512M 32Mx16
  7. BGA(84)
  8. IS43DR86400-25EBLI

  IS43DR86400-25EBLI

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容量 512M
規格 32Mx16
腳位/封裝 BGA(84)
電壓 1.8V
刷新 8K
速度 up to 400 Mhz
字數 64M
型號別 IBIS
焊接 SnAgCu
狀態 Contact ISSI
類型 DDR2
總線寬度 8 = x8
温規 Industrial Grade (-40C to +85°C)
CL（CAS延遲） 6
產品系列 43 = DDR/DDR2/DDR3/DDR4 Commercial/Industrial grade
字數 640025 = 64M
工作電壓範圍 DR = 1.8V DDR2
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