日耀電子有限公司
RI-YAO ELECTRONICS LTD.
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矽成
動態記憶體
第二代双倍数据率同步動態隨機存取記憶體
Special Products
1.8V
512M 32Mx16
BGA(84)
IS43DR86400-25DBLI
IS43DR86400-25DBLI
索取報價
容量
512M
規格
32Mx16
腳位/封裝
BGA(84)
電壓
1.8V
刷新
8K
速度
up to 400 Mhz
字數
64M
型號別
IBIS
焊接
SnAgCu
狀態
Contact ISSI
類型
DDR2
總線寬度
8 = x8
温規
Industrial Grade (-40C to +85°C)
CL(CAS延遲)
5
產品系列
43 = DDR/DDR2/DDR3/DDR4 Commercial/Industrial grade
字數
640025 = 64M
工作電壓範圍
DR = 1.8V DDR2
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