日耀電子有限公司

RI-YAO ELECTRONICS LTD.

日耀電子有限公司

主頁
產品
- 動態記憶體
- DDR4 SDRAM
- 第三代雙倍資料率同步動態隨機存取記憶體
- ECC DDR3 SDRAM
- 第二代双倍数据率同步動態隨機存取記憶體
- 双倍数据率同步動態隨機存取記憶體
- 同步動態隨機存取記憶體
- EDO和FP動態隨機存取記憶體
- 四倍數據倍率同步動態隨機存取記憶體
- Mobile DRAM
- LPDDR2 SDRAM
- Mobile DDR1 SDRAM
- 低電壓/移動SDR SDRAM
- LPDDR4/LPDDR4X SDRAM
- 靜態隨機存取存儲器
- 異步 SRAM
- Serial SRAM & Low Pin Count SRAM
- 同步 SRAM
- QUAD/QUADP and DDR-II/DDR-IIP
- CellularRAM的/偽SRAM
- HyperRAM™
- 串行SRAM/RAM
- 八進制內存
- MCP(多芯片封装)
- LPDDR2 DRAM+串行NOR閃存
- 閃存
- 閃存
- 音頻放大器
- 音频放大器
- LED驅動
- 灯效LED(FxLED)驅動
- 高亮度 LED 驅動
- 白光 LED 驅動
- 傳感器和電源管理
- 傳感器與電源管理
- 汽車級傳感器
- 接口
- I / O擴展器
- MCU
- MCU
- 汽車級 MCU
- 光通信
- 光纖產品
- 汽車模擬信號產品
- 汽車模擬信號產品
- 連接
- 連接
- 顯示其它檔案型式
- 顯示其它檔案型式
關於我們
聯繫人
服務

注册
貴賓登入
中文 (繁體)
- English

矽成
靜態隨機存取存儲器
CellularRAM的/偽SRAM
1.7-1.95V/ 2.7-3.6V
TFBGA(48)
67WVE2M16ECLL-70BLA1

67WVE2M16ECLL-70BLA1

規格	2Mx16
腳位/封裝	TFBGA(48)
電壓	1.7-1.95V/ 2.7-3.6V
狀態	Prod
評注	Asynch/ Page
速度（ns）	70

© RI-YAO