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RI-YAO ELECTRONICS LTD.
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矽成
動態記憶體
同步動態隨機存取記憶體
3.3V Automotive
512M 16Mx32
BGA(90)
IS45S32160D
IS45S32160D
數據表
索取報價
容量
512M
規格
16Mx32
電壓
3.3V
類型
SDR
刷新
8K
速度
166, 143, 133
狀態
NR
評注
腳位數
BGA(90)
產品系列
45 = SDR Automotive grade
字數
160 = 16M
工作電壓範圍
S = 3.3V SDR
總線寬度
32 = x32
數據表
索取報價
IS45S32160D 特徵
Clock frequency: 200, 166, 143 MHz
Fully synchronous; all signals referenced to a positive clock edge
Internal bank for hiding row access/precharge
Power supply: Vdd/Vddq = 2.3V-3.6V IS42/45SxxxxxD - Vdd/Vddq = 3.3V IS42/45RxxxxxD - Vdd/Vddq = 2.5
LVTTL interface
Programmable burst length
(1, 2, 4, 8, full page)
Programmable burst sequence: Sequential/Interleave
Auto Refresh (CBR)
Self Refresh
8K refresh cycles every 64 ms
Random column address every clock cycle
Programmable CAS latency (2, 3 clocks)
Burst read/write and burst read/single write operations capability
Burst termination by burst stop and precharge command
Packages: x8/x16: 54-pin TSOP-II, 54-ball TF-BGA (x16 only) x32: 90-ball TF-BGA
相關IC编號
IC 編號
庫存數量
可用數量
IS45S32160D-TR