1. 矽成
  2. Mobile DRAM
  3. 低電壓/移動SDR SDRAM
  4. Preceding Low Voltage and Mobile SDR DRAM
  5. 1.8V
  6. 16M 1Mx16
  7. TSOP2(50), BGA(60)
  8. IS42VS16100E

  IS42VS16100E

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容量 16M
規格 1Mx16
腳位/封裝 TSOP2(50), BGA(60)
電壓 1.8V
刷新 2K
狀態 Contact ISSI
類型 MSDR
速度（MHz） 133, 100
工作電壓範圍 VS = 1.8V SDR
總線寬度 16 = x16
產品系列 42 = SDR Commercial/Industrial grade
字數 100 = 1M
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