1. 矽成
  2. 動態記憶體
  3. EDO和FP動態隨機存取記憶體
  4. 3.3V
  5. SOJ(42), TSOP2(44/50)
  6. IS41LV16100DBYTEREAD

  IS41LV16100DBYTEREAD

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規格 1Kx16
腳位/封裝 SOJ(42), TSOP2(44/50)
電壓 3.3V
刷新 1K
速度 50
型號別 IBIS
狀態 S=NOW
類型 EDO
產品系列 41 = Asynchronous
字數 100 = 1M
工作電壓範圍 LV = 3.3V
總線寬度 16 = x16
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