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RI-YAO ELECTRONICS LTD.
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矽成
動態記憶體
第三代雙倍資料率同步動態隨機存取記憶體
1.5V
16G 1Gx16
BGA(96)
IS43TR16K01S2AL-15HBL
IS43TR16K01S2AL-15HBL
數據表
索取報價
容量
16G
規格
1Gx16
電壓
1.5V
類型
DDR3
刷新
8K
速度
1866, 1600, 1333
狀態
S=Q1/19
腳位數
BGA(96)
評論上一篇
2 Ranks
數據表
索取報價
IS43TR16K01S2AL-15HBL 特徵
Standard Voltage: VDD and VDDQ = 1.5V ± 0.075V
Low Voltage (L): VDD and VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V
-Backward compatible to 1.5V
High speed data transfer rates with system frequency up to 933 MHz
8 internal banks for concurrent operation
8n-Bit pre-fetch architecture
Programmable CAS Latency
Programmable Additive Latency: 0, CL-1,CL-2
Programmable CAS WRITE latency (CWL) based on tCK
Programmable Burst Length: 4 and 8
Programmable Burst Sequence: Sequential or Interleave
BL switch on the fly
Auto Self Refresh(ASR)
Self Refresh Temperature(SRT) OPTIONS
Configuration: 1Gx16(dual die)
Package: 96-ball BGA (10mm x 14mm) ADDRESS TABLE SPEED BIN ADVANCED INFORMATION JUNE 2018
Refresh Interval: 7.8 us (8192 cycles/64 ms) Tc= -40°C to 85°C 3.9 us (8192 cycles/32 ms) Tc= 85°C to 105°C
Partial Array Self Refresh
Asynchronous RESET pin
OCD (Off-Chip Driver Impedance Adjustment)
Dynamic ODT (On-Die Termination)
Driver strength : RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
Write Leveling
Up to 200 MHz in DLL off mode
相關IC编號
IC 編號
庫存數量
可用數量
IC 編號
庫存數量
可用數量
IS43TR16K01S2AL-15HBL-TR
IS43TR16K01S2A-15HBLI
IS43TR16K01S2A-107MBL
IS43TR16K01S2A-15HBLI-TR
IS43TR16K01S2A-107MBL-TR
IS43TR16K01S2AL-107MBL
IS43TR16K01S2A-107MBLI
IS43TR16K01S2AL-107MBL-TR
IS43TR16K01S2A-107MBLI-TR
IS43TR16K01S2AL-125KBL
50,000
IS43TR16K01S2A-125KBL
50,000
IS43TR16K01S2AL-125KBL-TR
IS43TR16K01S2A-125KBL-TR
IS43TR16K01S2AL-125KBLI
1,088
IS43TR16K01S2A-125KBLI
10,000
IS43TR16K01S2AL-125KBLI-TR
IS43TR16K01S2A-125KBLI-TR
IS43TR16K01S2AL-15HBLI
IS43TR16K01S2A-15HBL
IS43TR16K01S2AL-15HBLI-TR
IS43TR16K01S2A-15HBL-TR